вопросы к экз ЭФУ МИФИ

20 Февраль 2014 →

Вопросы к экзамену по дисциплине « Электроника физических установок»

Роль электроники в профессиональной деятельности студентов МИФИ. Примеры применения на АЭС. История развития полупроводниковой техники.

Строение атомов. Волновая теория де Бройля. Энергетические уровни. Разрешённые и не разрешённые уровни.

Строение полупроводников германия, кремния. Основные свойства, отличающие полупроводники от других твердых тел.

Физические основы работы полупроводниковых приборов. Электропроводность полупроводников. Диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках.

Собственная и примесная проводимости. Генерационно- рекомбинационные процессы в pn переходе.Начертите диаграммы энергетических зон собственного и примесного полупроводников и объясните характер электропроводности в полупроводниках.

Структура электронно-дырочного перехода. Физические процессы в n-p переходе. Электронно-дырочный переход при прямом включении. Явления инжекции носителей заряда. Процессы, протекающие в обратно смещенном n-p переходе. Виды и механизмы пробоя, применение.

Что такое диффузионный и дрейфовый токи?

Свойства и характеристики электронно-дырочного перехода.

Классификация диодов. Характеристики. Параметры выпрямительных диодов. Температурные свойства полупроводниковых диодов. Каково устройство и принцип действия полупроводникового диода?

Емкостные свойства n-p перехода. Барьерная и диффузионная емкости перехода. Практическое использование емкостных свойств n-p перехода. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы).

Светодиоды. Структура и принцип действия светодиода. Преимущества и недостатки. От чего зависит цвет светодиода? Применение.

Применение n-p перехода для стабилизации напряжений. Полупроводниковые стабилитроны. Объясните устройство стабилитрона и его включение в схему.

Конструкция и способы изготовления плоскостных и точечных диодов. Применение.

Конструкция биполярного транзистора. Физические процессы в биполярном транзисторе. Распределение носителей заряда в базе биполярного транзистора при различных режимах работы.

Что такое область отсечки, область активного усиления и область насыщения на семействе выходных характеристик транзистора? В чём заключается особенности этих режимов?

Анализ статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме включения с общей базой.

Анализ статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером. Усилительные свойства биполярных транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов. Начертите схемы включения транзистора. Частотные характеристики биполярного транзистора.

Тиристоры: физика процесса включения и выключения. Устройство, работа, условные графические обозначения, маркировка, параметры, разновидности. Симисторы.

Принцип действия полупроводникового динистора и его характеристика.Физические процессы тринистора при подключении U. Вольт- амперная характеристика тиристоров..

Способы управления тиристорами. Естественная и принудительная коммутация тиристоров.

Понятие, типы униполярных транзисторов. МДП структура. Эффект поля.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Различия между униполярными и биполярными транзисторами

Конструкция, физические процессы полевого транзистора с изолированным затвором - с встроенным каналом типа n и с индуцированным каналом типа n

Приборы с внешним фотоэффектом: фотоэлемент, фотоэлектронный умножитель.

Принцип действия, характеристики, параметры, область применения фотоэлементов.

Приборы с внутренним фотоэффектом: фоторезисторы, фотодиоды.

Приборы с внутренним фотоэффектом: фототранзисторы, фототиристоры.

Понятие оптрона. Принцип действия, основные параметры, характеристики

Основные излучатели оптронных элементов. Классификация, применение. Устройства отображения информации на основе светоизлучающих приборов.

28.Оптические каналы. Структурная схема волоконно-оптической линии связи (ВОЛС).

29.Основные элементы волоконно-оптической линии связи (ВОЛС).Оптические каналы. Волоконный световод.

30.Понятие микроэлектроники, компонентов и элементов интегральных микросхем. Полупроводниковые интегральные микросхемы, конструктивные элементы, технологии их получения.

31.Типы гибридных микросхем. Толстоплёночные ИМС. Тонкоплёночные ИМС

32.Технология изготовления интегральных микросхем. вакуумного напыления. Метод катодного распыления. Фотолитография

33.Интегральные операционные усилители. Понятие ОУ, применение. Амплитудная характеристика ОУ, обратная связь ООС, коэффициент передачи ОС.

34Аналоговые устройства: усилители, Схема каскада усилителя. Характеристики. Принцип усиления.

35Понятие цифровых устройств. Двоичное кодирование информации.

Понятие и разновидности логических элементов. Teopетическая основа проектирования цифровых систем. Два класса цифровых устройств.

36. Основы алгебры логики. Использование функции вида Y=f(X1, Х2, ..., Хn). Три основные операции: инверсия, дизъюнкция и конъюнкция. Аксиомы и законы. Логические функции и их минимизация.

37 Триггеры. Общие сведения. Два устойчивых состояния. RS-триггеры, D триггеры, Т—триггеры, JKуниверсальные триггеры.

38.Элементы схемы мультивибратора на ОУ. Работа мультивибратора и одновибратора.

39.Однофазные выпрямительные устройства. Структурная схема и параметры выпрямителей. Сглаживающие фильтры. Трёхфазные выпрямители по схеме Ларионова.

40.Однофазные выпрямительные устройства. Структурная схема и параметры двухполупериодных выпрямителей. Сглаживающие фильтры.




See also:
Для студента
Похожие записи

Комментарии закрыты.